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IBM: também temos “High-K/Metal Gate”

No ano passado, a Intel anunciou uma importante conquista tecnológica que viabilizou seu processo de fabricação de 45 nm a partir de um novo material high-K í  base de Háfnio e um novo elemento metálico nas portas dos transistores – o chamado “Hi-K+Metal Gate” (HKMG) – minimizando assim o vazamento de corrente, tornando-os mais eficientes em termos de consumo de energia, além de proporcionar melhor desempenho.

O interessante é que, na época, os pesquisadores de Santa Clara estavam tão orgulhosos da sua descoberta, que disseram não acreditar que a concorrência seria capaz de igualar tal façanha antes da chegada do processo de 32 nm, prevista para 2009. A boa notí­cia (para a Intel) é que a concorrência realmente não dominou a tecnologia HKMG antes do processo de 32 nm. A má notí­cia (para a Intel) é que eles conseguiram isso em 2008, um ano antes da Intel anunciar o seu próprio processo.

O autor dessa façanha foi um consórcio de várias empresas – entre elas a Chartered Semiconductor, Freescale Inc. , Infineon Technologies, Samsung Electronics, ST Microelectronics e a Toshiba Corp. – liderados pela IBM.

Gary Patton, vice-presidente do Centro de P&D da IBM, declarou em nome de seus parceiros que esses resultados demonstram que, trabalhando juntos é possí­vel desenvolver tecnologia de ponta, deixando para trás outros da indústria, mantendo assim uma vantagem competitiva.

A empresa não revelou detalhes mais técnicos dessa tecnologia, nem o material dielétrico utilizado em seus transistores.

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Desde o século passado Mario Nagano analisa produtos e já escreveu sobre hardware e tecnologia para veículos como PC Magazine, IDGNow!, Veja e PC World. Em 2007 ele fundou o Zumo junto com o Henrique assumindo o cargo de Segundo em Comando, Editor de Testes e Consigliere.